真空鍍膜技術的一般術（shù）語及工藝

       1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處於真空下的基片上製取膜層（céng）的一種方法。
       1.2基片（piàn）substrate：膜層承受體。
       1.3試驗基片testingsubstrate：在鍍膜開始（shǐ）、鍍膜過程中或鍍膜結束後用（yòng）作測量和（或）試驗的基片。
       1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來製取膜層（céng）的原材料。
       1.5蒸發材料evaporationmaterial：在真空蒸（zhēng）發中用來蒸發的鍍膜（mó）材料。
       1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。
       1.7膜層材（cái）料（膜層材質（zhì））filmmaterial：組成膜層的材料。
       1.8蒸發速率evaporationrate：在給定時間間隔內，蒸發出來的材料量，除以該時間間隔
       1.9濺射速率sputteringrate：在給定時間間隔內，濺射出來的材料量，除以該時間間隔。
       1.10沉積速率depositionrate：在給定時間（jiān）間隔內，沉積在基片上（shàng）的材料量，除以該（gāi）時間間隔和基片表麵（miàn）積。
       1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子（zǐ）方向與（yǔ）被鍍表麵法線之間的夾角。
       2工藝
       2.1真空（kōng）蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發的真空鍍膜過程。
       2.1.1同時蒸發（fā）simultaneousevaporation：用數個蒸（zhēng）發器把（bǎ）各種（zhǒng）蒸發材料同（tóng）時蒸鍍到基片上的真空蒸發。
       2.1.2蒸發場蒸發evaporationfieldevaporation：由蒸發場同時（shí）蒸發的材料到（dào）基片（piàn）上進行蒸鍍的真空蒸發（此工藝應用於大麵積蒸發以獲得到理想的膜厚分布）。
       2.1.3反應性真空蒸發reactivevacuumevaporation：通過與（yǔ）氣體反應（yīng）獲得化學（xué）成分的膜層材料的真空蒸發。
       2.1.4蒸發器中的反應性真空蒸發reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發器中各種蒸發材（cái）料反應，而獲得理想化學成分膜層材料的真空蒸發。
       2.1.5直（zhí）接加熱的蒸發directheatingevaporation：蒸發材料蒸發所必須的熱量是對蒸發材料（liào）（在（zài）坩堝中或不用坩堝）本身（shēn）加熱的蒸發。
       2.1.6感應加熱蒸發inducedheatingevaporation：蒸（zhēng）發材料通（tōng）過感應渦流加熱的（de）蒸發。
       2.1.7電子束（shù）蒸發electronbeamevaporation：通過電（diàn）子轟擊使蒸發材料加熱的蒸發。